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Transistor 2SC5200-O(Q)
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Transistor 2SC5200-O(Q)

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    • F23105907
    • 0,01 kg
    • 1 cm x 1 cm x 2 cm (L x B x H)
    Übersicht: Bipolartransistor (BJT) Transistorpolung: NPN Konfiguration: Single VCEO : max. 230V VCBO : max. 230V VEBO : 5V Sättigungsspannung Kollektor-Emitter: 400 mV Kollektorgleichstrom : max. 15A BandbreitengewinnungsproduktfT: 30 MHz max. Betriebstemperatur: +150C hFE: 55 - 160 Lieferumfang: 1x Transistor 2SC5200-O(Q) Mehr zum Produkt

    Übersicht:

    • Bipolartransistor (BJT)
    • Transistorpolung: NPN
    • Konfiguration: Single
    • VCEO : max. 230V
    • VCBO : max. 230V
    • VEBO : 5V
    • Sättigungsspannung Kollektor-Emitter: 400 mV
    • Kollektorgleichstrom : max. 15A
    • BandbreitengewinnungsproduktfT: 30 MHz
    • max. Betriebstemperatur: +150C
    • hFE: 55 - 160

    Lieferumfang:

    • 1x Transistor 2SC5200-O(Q)

    Übersicht:

    • Bipolartransistor (BJT)
    • Transistorpolung: NPN
    • Konfiguration: Single
    • VCEO : max. 230V
    • VCBO : max. 230V
    • VEBO : 5V
    • Sättigungsspannung Kollektor-Emitter: 400 mV
    • Kollektorgleichstrom : max. 15A
    • BandbreitengewinnungsproduktfT: 30 MHz
    • max. Betriebstemperatur: +150C
    • hFE: 55 - 160

    Lieferumfang:

    • 1x Transistor 2SC5200-O(Q)
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