Panoramica:
- Transistor a giunzione bipolare (BJT)
- Polarità del transistor: NPN
- Configurazione: Singolo
- VCEO : max. 230V
- VCBO : max. 230V
- VEBO : 5V
- Tensione di saturazione collettore-emettitore: 400 mV
- Corrente diretta del collettore: max. 15A
- Prodotto di guadagno della larghezza di bandafT : 30 MHz
- temperatura massima di funzionamento: +150C
- hFE: 55 - 160
Contenuto della fornitura:
- 1x transistor 2SC5200-O(Q)
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Zubehör
