Visión general:
- Transistor de unión bipolar (BJT)
- Polaridad del transistor: NPN
- Configuración: Simple
- VCEO : máx. 230V
- VCBO : máx. 230V
- VEBO : 5V
- Tensión de saturación colector-emisor: 400 mV
- Corriente continua del colector: máx. 15 A
- Producto de ganancia de ancho de bandafT : 30 MHz
- temperatura máx. de funcionamiento: +150C
- hFE: 55 - 160
Volumen de suministro:
- 1x transistor 2SC5200-O(Q)
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Zubehör
