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2N7000 - Transistor unipolaire, MOSFET, 60V, 0.115A

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    Produktübersicht Unipolarer Transistor (MOSFET) im TO-92-Gehäuse Sperrspannung bis 60 V Drainstrom bis 115 mA N-Kanal-Aufbau für positive Schaltspannungen Direkt an Mikrocontroller-Pins ansteuerbar Produktbeschreibung Dieser n-Kanal-MOSFET eignet sich für die Ansteuerung von Last-Elementen aus digitalen Ausgängen von Mikrocontrollern. Mit einer Sperrspannung von 60 V und Drainstrom-Fähigkeit bis 115 mA passt er in Schaltungen mit Betriebsspannungen bis zu 60 V und Lasten im... plus

    Produktübersicht

    • Unipolarer Transistor (MOSFET) im TO-92-Gehäuse
    • Sperrspannung bis 60 V
    • Drainstrom bis 115 mA
    • N-Kanal-Aufbau für positive Schaltspannungen
    • Direkt an Mikrocontroller-Pins ansteuerbar

    Produktbeschreibung

    Dieser n-Kanal-MOSFET eignet sich für die Ansteuerung von Last-Elementen aus digitalen Ausgängen von Mikrocontrollern. Mit einer Sperrspannung von 60 V und Drainstrom-Fähigkeit bis 115 mA passt er in Schaltungen mit Betriebsspannungen bis zu 60 V und Lasten im mittleren Strombereich, etwa LEDs, Relaisspulen oder kleine Motoren.

    Das Gate wird direkt an einen digitalen Ausgang angeschlossen. Bereits wenige Milliampere Gaterom reichen, um den Transistor vollständig durchzuschalten. Die Gate-Source-Spannung liegt typisch bei 2 bis 3 V für volle Durchlässigkeit. Dies macht ihn kompatibel mit 3,3-V-Logikpegeln ebenso wie mit 5-V-Standards. Bei wenigen hundert Milliwatt Verlustleistung ist im Hobbyprojekt meist kein zusätzlicher Kühlkörper nötig.

    Der MOSFET lässt sich überall verwenden, wo Signale aus Mikrocontrollern oder Logik-ICs kleine bis mittlere Lasten schalten müssen, Signallisten von Sensoren treiben damit Anzeigeelemente an, Echtzeit-Regler steuern Lüfter oder Pumpen-Motoren, und digitale Ausgänge schalten Relaisspulen zur Fernschaltung von Geräten. Auch im Learning-Umfeld ist der preiswerte Standardtyp für solche Grundschaltungen unverzichtbar.

    Zu beachten ist die Belegung des TO-92-Gehäuses (Gate, Drain, Source von links nach rechts), um Kurzschlüsse zu vermeiden. Liegt eine höhere Drainstrom-Last an (über 200 mA kontinuierlich), sollte die Verlustleistung abgeschätzt und erforderlichenfalls ein Kühlkörper vorgesehen werden. Ein Freilaufdiode über der induktiven Last schützt den Transistor vor Überspannungs-Spitzen beim Ausschalten.

    Sicherheitshinweis

    Dieser Transistor ist ausschließlich für den Aufbau von Prototypen sowie Test- und Entwicklungszwecken bestimmt. Beachten Sie korrekte Polung und Pinbelegung. Arbeiten in oder unmittelbar an der Hausstrominstallation sind Elektrofachkräften vorbehalten; bei Unklarheiten zur Anwendung konsultieren Sie eine Elektrofachkraft.

    Lieferumfang

    • 1x 2N7000 - Unipolarer Transistor, MOSFET, 60V, 0.115A

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    • Unipolarer Transistor (MOSFET) im TO-92-Gehäuse
    • Sperrspannung bis 60 V
    • Drainstrom bis 115 mA
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    Dieser n-Kanal-MOSFET eignet sich für die Ansteuerung von Last-Elementen aus digitalen Ausgängen von Mikrocontrollern. Mit einer Sperrspannung von 60 V und Drainstrom-Fähigkeit bis 115 mA passt er in Schaltungen mit Betriebsspannungen bis zu 60 V und Lasten im mittleren Strombereich, etwa LEDs, Relaisspulen oder kleine Motoren.

    Das Gate wird direkt an einen digitalen Ausgang angeschlossen. Bereits wenige Milliampere Gaterom reichen, um den Transistor vollständig durchzuschalten. Die Gate-Source-Spannung liegt typisch bei 2 bis 3 V für volle Durchlässigkeit. Dies macht ihn kompatibel mit 3,3-V-Logikpegeln ebenso wie mit 5-V-Standards. Bei wenigen hundert Milliwatt Verlustleistung ist im Hobbyprojekt meist kein zusätzlicher Kühlkörper nötig.

    Der MOSFET lässt sich überall verwenden, wo Signale aus Mikrocontrollern oder Logik-ICs kleine bis mittlere Lasten schalten müssen, Signallisten von Sensoren treiben damit Anzeigeelemente an, Echtzeit-Regler steuern Lüfter oder Pumpen-Motoren, und digitale Ausgänge schalten Relaisspulen zur Fernschaltung von Geräten. Auch im Learning-Umfeld ist der preiswerte Standardtyp für solche Grundschaltungen unverzichtbar.

    Zu beachten ist die Belegung des TO-92-Gehäuses (Gate, Drain, Source von links nach rechts), um Kurzschlüsse zu vermeiden. Liegt eine höhere Drainstrom-Last an (über 200 mA kontinuierlich), sollte die Verlustleistung abgeschätzt und erforderlichenfalls ein Kühlkörper vorgesehen werden. Ein Freilaufdiode über der induktiven Last schützt den Transistor vor Überspannungs-Spitzen beim Ausschalten.

    Sicherheitshinweis

    Dieser Transistor ist ausschließlich für den Aufbau von Prototypen sowie Test- und Entwicklungszwecken bestimmt. Beachten Sie korrekte Polung und Pinbelegung. Arbeiten in oder unmittelbar an der Hausstrominstallation sind Elektrofachkräften vorbehalten; bei Unklarheiten zur Anwendung konsultieren Sie eine Elektrofachkraft.

    Lieferumfang

    • 1x 2N7000 - Unipolarer Transistor, MOSFET, 60V, 0.115A
    Caractéristiques
    Produktart: MOSFET-Transistor
    Hersteller: Funduino
    Kategorie: ID: 1016 | Phase 1 - SK + 15%, Transistoren
    Farbe: Schwarz
    Anzahl Kontakte: 3
    Gehäusematerial: Kunststoff
    Baugröße: TO-92
    Anschluss: Drahtanschluss
    Montage: THT
    max. Spannungsfestigkeit (V): 60
    Nennstrom (A): 0,115
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